توضیحی مختصر از متن فایل  :

سنسورهای شیمیایی می توانند بر طبق زمینه های کاربردیشان طبقه بندی شوند، ذراتی که آنها نامزد تشخیص یا اصل عملکرد فیزیکوشیمیایی شان هستند. یک خط فاصله همچنین به طور متناوب ما بین تشکیل دهنده های نیمه هادی حساس شیمیایی و دیگران کشیده شده است. در این متن از طبقه بندی زیر استفاده شده است:

1-  سنسورهای هادی. در این سنسورها تأثیر متقابل گاز با جامد( اکسید فلزی نیمه هادی یا نیمه هادی آلی) موجب تغییر در هدایت می شود. یک تغییر در مقاومت همچنین می تواند موجب تغییر در دمای مواد سنسور شود.

2-  سنسورهای نیمه هادی ساخته شده. اینها سازنده های نیمه هادی اصلاح شده هستند که در آنها تغییرات در لایه های دو گانه ی الکتریکی در مرزهای فازی برای اندازه گیری استفاده می شود.

3-  سنسورهای الکتروشیمیایی. در این سنسورها از اثر کاتالیزوری الکتردهای ویژه برای تشخیص گاز یا تأثیر متقابل انتخابی مولکول ها یا یون ها با غشاءهای ثابت در سیستم های جاری استفاده می شود.

4-    سنسورهای الکترولیت جامد. این در هدایت یونی در سطوح هدایتی الکترونی قابل اغماض به کار می رود.

5-  FET های حساس شیمیایی. در این وسایل تأثیر متقابل یونها یا مولکول ها در یک لایه یون- انتخابی یا گاز- حساس در ناحیه گیت یک FET سبب می شود که پتانسیل گیت ترانزیستور تغییر یابد. در اصل، این نوع سنسور ترکیبی از یک سنسور پتانسیومتری (لایه ی حساس) و یک آمیلی فایر بار است.

6-  انواع دیگر سنسور. این شامل سنسورهایی است که به طور غیر مستقیم در فرآیندهای شیمیایی عمل می کنند، مثل سنسورهای نوری، سنسورهای اُپتوترمال، میکروبالانس های کوارتز، سنسورهایSAW و سنسورهای بیولوژیکی که به طور ویژه برای آشکار سازی مواد بیولوژیکی به کار می روند.  

سنسورهای هادی

به دلیل پایداری شیمیایی و حرارتی اکسیدهای فلزی به طور غالب در کاربردهای علمی استفاده می شوند. در دمای حدود  مقاومت الکتریکی آنهای یک درجه بالایی از وابستگی را روی غلظت گازهای معین نشان می دهد. در دماهای بین اکسیدهای فلزی با راه های حامل الکترون نوع n-، از قبیل ZnO,SnO₂ یا Fe₂O₃، ابتدا به گازهای قابل اکسید شدن از قبیل C₂H₅, CH₄, H₂ یاH₂S پاسخ داده و هدایت آنها را افزایش می دهد.بر عکس، نیمه هاری های نوع P- از قبیل CuO, NiO یاCoO ابتدا به گازهای قابل احیاء از قبیلCl₂, NO₂, O₂ پاسخ می دهند. در کنار این اکسیدهای فلزی دوتایی، اکسیدهای فلزی سه تایی و چهارتایی و ترکیبات آنها در سنسورهای گازی مشابه استفاده می شوند. سنسورهای اکسید فلزی غالباً از طریق افزایش اتم های فلزی مثل Au, Cu, Pt, Pd و Ag اصلاح و بهینه می شوند. این سنسورهایی با درجه معین از انتخابگری به دست می دهد. برای دلایل تکنیکی، سنسورهای اکسید فلزی بر پایه یZnO₂, SnO₂ یا Fe₂O₃ دارای اهمیت زیادی در کاربردهای عملی است.

اولین سنسورهای گازی مشابه سنسورهای پلی کریستالین بود. شناخته شده ترین آنها سنسور گازی تاگوچی (TGS) است که بر پایه ی SnO₂ می باشد و به مقدار زیاد به وسیله ی شرکت فیگارو ژاپن تولید می شود. این سنسور به عنوان هشدار دهنده ی آتش در خیلی از خانه های ژاپنی نصب شده است.

آشکار سازی گازهای احیاء شونده با استفاده از مقدار هدایت G با زمان پاسخ بر حسب دقیقه انجام می شود. حد جریان آشکار سازی با استفاده از سنسورهای ppm2/0 است. دریفت زمان- طولانی، ابتدا در شکل انتشار و اثرات رسوب در مرزهای ذرات غیر قابل اجتناب است. اساساً، G به غلظت Ci یا فشار جزیی Pi گاز ارتباط دارد و نشان داده می شود به وسیله ی      که ni ثابت تجربی است که در مورد گازهای احیاء شونده ی مثبت و کوچکتر از l می باشد. اگر چه، این سنسور خیلی مناسب برای اندازه گیری کمی نیست. برای مثال، در غیاب گازهای احیاء شونده مقدار هدایت به فشار جزئی اکسیژن و آب بستگی دارد. به علاوه، هرچند تعداد زیادی از گازهای قابل احیاء می توانند آشکار شوند، همیشه یک درجه ی معین از حساسیت جنبی وجود دارد. حساسیت جنبی بدین معنی است که تغییرات معادل در مقاومت می تواند موجب تغییرات در غلظت های گازهای مختلف شود. چندین روش برای مدل کردن حساسیت جنبی وجود دارد. برای مثال، یک تلاش برای شرح آن به طور قراردادی به وسیله ی پارامترهای زیر ساخته شده است.